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場效應(yīng)管的工作原理
瀏覽次數(shù):4853 次  發(fā)布時(shí)間:2017-04-10  

一、場效應(yīng)管的工作原理- -概念

  場效應(yīng)管(FET)是場效應(yīng)晶體管(field-effect transistor)的簡稱,由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,也稱為單極性場效應(yīng)管,是一種常見的利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導(dǎo)體器件,場效應(yīng)管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點(diǎn),而且輸入回路的內(nèi)阻高達(dá)107~1012Ω,噪聲低,熱穩(wěn)定性好,抗輻射能力強(qiáng),且比后者耗電省,這些優(yōu)點(diǎn)使之從20世紀(jì)60年代誕生起就廣泛地應(yīng)用于各種電子電路之中。


二、場效應(yīng)管的工作原理- -結(jié)構(gòu)

  所有的FET都有柵極g(gate)、漏極d(drain)、源極s(source)三個(gè)極,分別對應(yīng)雙極性晶體管的基極b(base)、集電極c(collector)和發(fā)射極e(emitter)。除了結(jié)型場效應(yīng)管外,所有的FET也有第四端,被稱為體(body)、基(base)、塊體(bulk)或襯底(substrate)。P區(qū)與N區(qū)交界面形成耗盡層,而漏極d與源極s間的非耗盡層區(qū)域稱為導(dǎo)電溝道。

三、場效應(yīng)管的工作原理- -分類

  場效應(yīng)管可以分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場效應(yīng)管(JGFET),結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名,絕緣柵型場效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。因?yàn)榻^緣柵型場效應(yīng)管的柵極為金屬鋁,故又稱為MOS管。

  場效應(yīng)管按導(dǎo)電方式的不同來劃分,可分成耗盡型與增強(qiáng)型。當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型;當(dāng)柵壓為零,漏極電流也為零,必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。

  無論是結(jié)型場效應(yīng)管還是絕緣柵型場效應(yīng)管,無論是耗盡型場效應(yīng)管或是增強(qiáng)型場效應(yīng)管,都可分為N溝道和P溝道,其結(jié)構(gòu)分別如下圖所示:

四、場效應(yīng)管工作原理- - 結(jié)型

  結(jié)型場效應(yīng)管可分為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管,下面我們就以N溝道為例對結(jié)型場效應(yīng)管工作原理進(jìn)行說明。

  為保證N溝道結(jié)型場效應(yīng)管能正常工作,應(yīng)在其柵-源之間加負(fù)向電壓(即uGS<0),以保證耗盡層承受反向電壓;在漏-源之間加正向電壓uDS,以形成漏極電流。柵-源之間負(fù)向電壓越大,PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚,導(dǎo)電溝道越窄,溝道電阻變大,漏極電流iD越小;相反,若柵-源之間負(fù)向電壓越小,則耗盡區(qū)就越薄,導(dǎo)電溝道越寬,溝道電阻變小,漏極電流iD越大。因此實(shí)現(xiàn)了場效應(yīng)管的柵-源間負(fù)向電壓對溝道電流的控制。

  而對于P溝道結(jié)型場效應(yīng)管,與N溝道原理類似,但要在其柵-源之間加正向電壓(即uGS>0)才能保證其能能正常工作。

五、場效應(yīng)管工作原理- - 絕緣柵型

  以N溝道耗盡型MOS管為例,如果在制造MOS管時(shí),在SiO2絕緣層中摻入大量正離子,那么即使uGS=0,在正離子作用下P型襯底表層也存在反型層,即漏-源之間存在導(dǎo)電溝道。只要在漏-源間加正向電壓,就會(huì)產(chǎn)生漏極電流,并且,uGS為正時(shí),反型層變寬,溝道電阻變小,溝道電流iD增大;反之,uGS為負(fù)時(shí),反型層變窄,溝道電阻變大,iD減小。而當(dāng)uGS從零減小到一定值時(shí),反型層消失,漏-源之間導(dǎo)電溝道消失,iD=0。實(shí)現(xiàn)了柵源電壓對漏極電流的控制。

六、場效應(yīng)管工作原理- - 增強(qiáng)型

  以N溝道為例,在一個(gè)N溝道增強(qiáng)模式器件中,應(yīng)在柵源間加正向電壓。正電壓吸引了體中的自由移動(dòng)的電子向柵極運(yùn)動(dòng),形成了導(dǎo)電溝道。但是首先,充足的電子需要被吸引到柵極的附近區(qū)域去對抗加在FET中的摻雜離子;這形成了一個(gè)沒有運(yùn)動(dòng)載流子的被稱為耗盡區(qū)的區(qū)域,這種現(xiàn)象被稱為FET的閾值電壓。更高的柵源電壓將會(huì)吸引更多的電子通過柵極,則會(huì)制造一個(gè)從源極到漏極的導(dǎo)電溝道;這個(gè)過程叫做"反型"。

七、場效應(yīng)管工作原理- - 耗盡型

  在一個(gè)N溝道耗盡模式器件中,在柵源之間加負(fù)向電壓將會(huì)造成一個(gè)耗盡區(qū)去拓展寬度,從邊界侵入溝道,從而使溝道變窄。若耗盡區(qū)擴(kuò)展至完全關(guān)閉溝道,則漏源間溝道電阻會(huì)變得很大,F(xiàn)ET就會(huì)像開關(guān)一樣有效的關(guān)閉。類似的,在一個(gè)P溝道耗盡模式期器件中,在柵源之間加正向電壓將使溝道變寬,溝道電阻變小,使電流更易通過。

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